第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体材料。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。
随着“碳达峰、碳中和”战略的推进实施，绿色、低碳、清洁能源等技术将加速应用，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展。2023年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值155亿元。其中，SiC、GaN功率电子产值规模达85.4亿元，GaN微波射频产值为70亿元；2024年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值大约168亿元。其中，SiC、GaN功率电子产值规模约95亿元GaN微波射频产值约73亿元。
政策方面，2023年6月2日，工信部等五部门联合印发《制造业可靠性提升实施意见》提出重点提升电子整机装备用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化镓/碳化硅等宽禁带半导体功率器件等电子元器件的可靠性水平，有力推动功率半导体器件产业发展。2023年8月，工业和信息化部发布《新产业标准化领航工程实施方案（2023-2035年）》，提到全面推进新兴产业标准体系建设，研制智能传感器、功率半导体器件、新型显示器件等基础器件标准。
，为贯彻落实全省推动电子信息产业发展座谈会精神，加快第三代半导体、电子特种气体、新型显示、光伏、大数据等细分行业发展，推进制造强省建设，河北省人民政府办公厅印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》。提出要支持设计研发验证；推动科技成果转化；打造京津冀集成电路产业集群；培育企业做强做优；支持重大项目建设；鼓励产品创新应用；支持举办行业活动；优化行业监管服务等八项措施支持第三代半导体产业发展。
我国第三代半导体技术和产业都取得较好进展，但在材料指标、器件性能等方面与国外先进水平仍存在一定差距，市场继续被国际巨头占据，国产化需求迫切。我国第三代半导体创新发展的时机已经成熟，处于重要窗口期。